發(fā)布時(shí)間：2022年08月17日                  作者：德國(guó)GMC-I高美測(cè)儀（上海電勵(lì)士）

I-V曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估

1、階梯或凹陷

2、低電流

3、低電壓

4、圓膝

5、豎直腿淺坡

6、水平腿陡坡

I-V曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估-階梯或凹陷

I-V 曲線中的階梯或凹陷表示被測(cè)試的陣列或組件的不同區(qū)域之間的不匹配情況，可能會(huì)有如下情況引起：

☆ 陣列或組件局部遮擋。

☆ 陣列或組件局部污漬或以其他方式遮蔽（比如雪等）

☆ PV電池片/組件損壞。

☆ 旁路二極管短路。

注意：即使組件中只有一個(gè)單元被部分遮蔽也可能會(huì)導(dǎo)致相關(guān)的旁路二極管導(dǎo)通，并在曲線中產(chǎn)生一個(gè)凹陷。

IV曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估-低電流：

許多因素可以導(dǎo)致總結(jié)如下

陣列原因：

☆ 均勻污染

☆ 條紋遮擋（縱向組件）

☆ 污垢壩（縱向組件）

☆ 光伏組件劣化

組件原因：

☆ PV組件數(shù)據(jù)輸入錯(cuò)誤

☆ 錯(cuò)誤地輸入多個(gè)并聯(lián)串

測(cè)量原因：

☆ 輻照傳感器校準(zhǔn)或測(cè)量問(wèn)題。

☆ 輻射傳感器未安裝在陣列的平面中。

☆ I-V曲線測(cè)量時(shí)輻照度改變。

☆ 反射效應(yīng)導(dǎo)致輻照傳感器記錄偏高的輻照度。

☆ 輻照太低或太陽(yáng)太接近地平線。

IV曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估-低電壓

電壓變化的潛在原因包括以下

陣列原因：

☆ 旁路二極管導(dǎo)通或短路。

☆ 光伏串的組件數(shù)量錯(cuò)誤。

☆ 電勢(shì)誘導(dǎo)衰減（PID）。

☆ 對(duì)整個(gè)電池片/組件/組串有明顯的

☆ 均勻的遮擋。

組件原因：

☆ 錯(cuò)誤地輸入PV組件數(shù)據(jù)。

☆ 錯(cuò)誤輸入串中的組件數(shù)目。

測(cè)量原因：

☆ PV電池溫度與測(cè)量值不同。

IV曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估-圓膝

☆ I-V 曲線的膝蓋的倒圓可能是老化過(guò)程的表現(xiàn)。在得出結(jié)論之前，檢查I-V曲線的水平和垂直腿的斜率。如果它們已經(jīng)改變，則會(huì)在膝蓋的形狀中產(chǎn)生視覺(jué)上類似的效果。

IV曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估-豎直腿中的淺坡

Z大功率點(diǎn)（V mpp）和V oc之間的I-V曲線的后一部分的斜率受到對(duì)被測(cè)電路的串聯(lián)電阻的影響。增加的電阻將減小曲線的該部分中的斜率的陡度。

串聯(lián)電阻增加的潛在原因包括：

☆ 光伏配線損壞或故障（或電纜尺寸不足）。

☆ 組件或陣列互連處故障（連接不良）。

☆ 組件自身串聯(lián)電阻增加（電池片連接導(dǎo)致高阻或接線盒老化腐蝕）

IV曲線測(cè)試儀下的IV曲線評(píng)估-水平腿的陡坡

I-V曲線上部的斜率變化可能是由于：

☆ PV電池中的旁路電流分流。

☆ 組件I sc不匹配。

☆ 錐形陰影或污垢（例如污垢壩）